16SepŠtruktúra vrstvy porézneho poľa, metóda predbežného poťahovania, metóda tvorb...Technické implementačné prvky: 3. Uskutočnenia predloženej technológie poskytujú štruktúru vrstiev s radom otvorov, spôsob predbežného poťahovania, sp
Zobraziť viac
16SepŠtruktúra vrstvy s otvormi, metóda predbežného poťahovania, metóda tvorby fil...1. Predkladaná technológia patrí do technickej oblasti biologickej detekcie a týka sa najmä štruktúry vrstiev s radom otvorov, spôsobu predbežného poť
Zobraziť viac
16SepNanokompozitný systém a metóda na výskum nanomateriálov, prvky technickej rea...Technické realizačné prvky: 5. Technický problém, ktorý má tento vynález vyriešiť, je: poskytnúť nanometrický integrovaný systém a metódu na výskum na
Zobraziť viac
16SepNanokompozitný systém a metóda na výskum nanomateriálov1. Predložený vynález sa týka oblasti vedecko-výskumného zariadenia v nanovede na úrovni výskumu a najmä oblasti integrovaného systému v nanoúrovni a
Zobraziť viac
16SepŠtruktúra balenia, substrát, spôsob balenia a prvky implementácie technológie...Prvky technickej implementácie: 3. Predložená technológia poskytuje štruktúru balenia, substrát a spôsob balenia, aby sa znížilo napätie pri balení vz
Zobraziť viac
16SepŠtruktúra balenia, substrát, spôsob balenia a proces1. Predložená technológia sa týka oblasti balenia čipov a konkrétnejšie obalových štruktúr, substrátov a spôsobov balenia. Základná technika: 2. Mikro
Zobraziť viac
16SepMEMS mikro-ohrievacia platňa na báze laterálneho kompozitného dielektrického ...Technické realizačné prvky: 4. Vzhľadom na vyššie uvedené technické problémy poskytuje tento vynález memovú mikrovyhrievaciu platňu založenú na priečn
Zobraziť viac
16SepDruh MEMS mikro-horúcej platne založený na laterálnom kompozitnom dielektrick...Druh MEMS mikro-vyhrievacej platne na báze priečneho kompozitného dielektrického filmu a spôsob jeho výroby technická oblasť 1. Predložený vynález sa
Zobraziť viac
16SepTechnické realizačné prvky metódy post-CMOS uvoľňovania pre štruktúru citlivú...Prvky technickej implementácie: 5. Aby sa vyriešil problém dokončenia uvoľnenia štruktúry za predpokladu, že bude kompatibilný s CMOS pomocou procesu
Zobraziť viac
16SepPrvky technickej implementácie Prvky metódy post-CMOS uvoľnenia pre štruktúry...Prvky technickej implementácie: 5. Aby sa vyriešil problém dokončenia uvoľnenia štruktúry za predpokladu, že bude kompatibilný s CMOS pomocou procesu
Zobraziť viac
16SepMetóda uvoľnenia CMOS štruktúry citlivej na krížové lúče pre vektorový hydrof...Spôsob uvoľňovania CMOS po štruktúre citlivej na krížové lúče pre mem vektorový hydrofón technická oblasť 1. Predložený vynález sa týka oblasti polovo
Zobraziť viac
16SepSpôsoby výroby systémov na prevádzku mikrofluidných zariadení1. Predložená technológia sa všeobecne týka systémov využívajúcich mikrofluidné zariadenia. Predložená technológia okrem iného opisuje systémy na prev
Zobraziť viac












